シリコンゲートCOMS技術を用いた高速CMOSインバータです。
◎特長
・高速動作
:
tpd=7ns(標準)@VCC=5V
・低消費電流
ICC=1uA(最大)@TA=25℃
・高雑音余裕度
VNIH=VNIL=10% VCC(最小)
・高ファンアウト
LSTTL5個を直接駆動可能
・対称出力インピーダンス
|IOH|=IOL=2mA(最小)
・広い動作電圧範囲
VCC(opr)=2〜6V
◎動作範囲
・電源電圧
VCC=2〜6V
・入力電圧
VIN=0〜VCCV+0.5
・出力電圧
VOUT=0〜VCCV+0.5
マーキング(E6)
10個入
DataSheet
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NV9J100158-001