・NPNエピタキシアル形シリコントランジスタ
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・860MHz帯高電圧・広帯域・高周波電力増幅用
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・通信工業用
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◎特徴
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・860MHzにて高利得、高効率が得られます。
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・Push-Pull構造のため広帯域設計が容易。
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・エミッタ安定化抵抗を内蔵。
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・内部整合回路内蔵
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・金電極のため高い信頼度が得られます。
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◎用途
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・地デジ送信機
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・携帯電話基地局装置
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・アマチュア無線
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・高周波電源
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◎絶対最大定格
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・コレクタ・ベース間電圧(VCBO)
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50V
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・コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO)
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32V
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・エミッタ・ベース間電圧(VEBO)
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3.0V
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・コレクタ電流(IC)
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12A
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・全損失(PT)
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100W
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◎電気的特性
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・条件
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f=860MHz VCC=24V PO=16W
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・パワーゲイン
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9dB
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1個 |
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DataSheet
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