| ・NPNエピタキシアル形シリコントランジスタ
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| ・230MHz帯高電圧・広帯域・高周波電力増幅用
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| ・通信工業用
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| ◎特徴
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| ・230MHzにて高利得、高効率が得られます。
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| ・Push-Pull構造のため広帯域設計が容易。
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| ・エミッタ安定化抵抗を内蔵。
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| ・VSWR = ∞ に耐えます。
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| ・内部整合回路内蔵
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| ・金電極のため高い信頼度が得られます。
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| ◎絶対最大定格
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| ・コレクタ・ベース間電圧(VCBO)
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55V
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| ・コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO)
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：
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32V
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| ・エミッタ・ベース間電圧(VEBO)
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：
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3.0V
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| ・コレクタ電流(IC)
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：
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24A
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| ・全損失(PT)
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280W
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| ◎電気的特性
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| ・条件
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f=230MHz VCC=28V PO=140W
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| ・パワーゲイン
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11.4dB
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1個 |
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DataSheet
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