シリコンRFパワートランジスタ 2SC3660A

・NPNエピタキシアル形シリコントランジスタ

・860MHz帯電力増幅用

・通信工業用

◎特徴

・860MHz帯において高出力、高効率が得られます。

・エミッタ安定化抵抗を内蔵。

・安全動作領域が広いです。

・内部整合回路内蔵。

・金電極のため高い信頼度が得られます。

◎用途

・地デジ放送機

・高周波電源

・RF装置

◎絶対最大定格

・コレクタ・ベース間電圧(VCBO)

：

55V

・コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO)

：

32V

・エミッタ・ベース間電圧(VEBO)

：

3.0V

・コレクタ電流(IC)

：

24A

・全損失(PT)

：

320W

◎電気的特性

・条件

f=860MHz VCC=28V PO=91W

・パワーゲイン

5.6dB