シリコンRFパワートランジスタ BM100-28N

・NPNエピタキシアル形シリコントランジスタ

・200MHzまでの高出力VHFアプリケーション用に設計されています。

◎用途

・アマチュア無線

・高周波電源

・各種RF装置

◎絶対最大定格

・コレクタ・ベース間電圧(VCBO)

：

65V

・コレクタ・エミッタ間電圧(VCEO)

：

33V

・エミッタ・ベース間電圧(VEBO)

：

4.0V

・コレクタ電流(IC)

：

20A

・全損失(PT)

：

270W

◎電気的特性

・条件

f=175MHz VCC=28V PO=100W

・パワーゲイン

7.0dB