| ・NチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタ
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| ・UHF帯TV送信機電力増幅用
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| ◎特徴
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| ・UHF帯において高出力、高ゲイン、高効率が得られます
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| ・広帯域
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| ・内部整合回路内蔵
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| ・プッシュプル構造
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| ・金電極による高い信頼性
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◎用途
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・地デジ放送機
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・高周波電源
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・各種RF装置
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| ◎絶対最大定格
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| ・ドレイン・ソース間電圧(VDS)
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60V
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| ・ゲート・ソース間電圧(VGS)
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：
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7V
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| ・ドレイン電流(D.C.)(ID)
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15A
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| ・許容電力損失(PT)
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290W
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| ◎電気的特性
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| ・条件
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f=860MHz VCC=30V PO=100W
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| ・パワーゲイン
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12dB
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1個 |
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DataSheet
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