シリコンRFパワーMOSFET MRF166C

・30-500MHz帯リニアアンプ用トランジスタ

・NチャンネルエンハンスメントモードMOSFET

◎用途

・アマチュア無線

・高周波電源

・各種RF装置

◎絶対最大定格

・ドレイン・ソース間電圧(VDS)

：

65V

・ゲート・ソース間電圧(VGS)

：

±20V

・ドレイン電流(D.C.)(ID)

：

4A

◎電気的特性

・条件

f=500MHz VCC=28V PO=20W

・パワーゲイン

13.5dB